دورية أكاديمية
8 A, 200 V normally-off cascode GaN-on-Si HEMT: From epitaxy to double pulse testing
| العنوان: | 8 A, 200 V normally-off cascode GaN-on-Si HEMT: From epitaxy to double pulse testing |
|---|---|
| المؤلفون: | Baby, Rijo, Mandal, Manish, Roy, Shamibrota K., Bardhan, Abheek, Muralidharan, Rangarajan, Basu, Kaushik, Raghavan, Srinivasan, Nath, Digbijoy N. |
| المصدر: | In Microelectronic Engineering 15 October 2023 282 |
| قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!