دورية أكاديمية

Ion beam analysis of the SiO2/SiC interface

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Ion beam analysis of the SiO2/SiC interface
المؤلفون: Soares, G.V., Trombetta, F., Schütz, P., Baumvol, I.J.R., Radtke, C., Stedile, F.C.
المصدر: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B August 2006 249(1-2):444-446
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:0168583X
DOI:10.1016/j.nimb.2006.03.027