دورية أكاديمية
Impact of post-deposition anneal on ALD Al2O3/etched GaN interface for gate-first MOSc-HEMT
العنوان: | Impact of post-deposition anneal on ALD Al2O3/etched GaN interface for gate-first MOSc-HEMT |
---|---|
المؤلفون: | Fernandes Paes Pinto Rocha, P., Vauche, L., Mohamad, B., Vandendaele, W., Martinez, E., Veillerot, M., Spelta, T., Rochat, N., Gwoziecki, R., Salem, B., Sousa, V. |
المصدر: | In Power Electronic Devices and Components March 2023 4 |
قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
كن أول من يترك تعليقا!