مورد إلكتروني
Charakterizace tenkých vrstev a objemových polovodičů
| العنوان: | Charakterizace tenkých vrstev a objemových polovodičů |
|---|---|
| عناروين إضافية: | Characterization of thin layers and bulk semiconductors |
| بيانات النشر: | Univerzita Pardubice 2020-06-02T08:10:31Z 2020-06-02T08:10:31Z 2019 2019 |
| تفاصيل مُضافة: | Janíček, Petr |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مستخلص: | Předložená práce je rozdělená na dvě části. První část práce je věnována elektroskopické elipsometrii a jejímu využití pro studium materiálů, ať už ve formě objemových skel, tak zejména ve formě tenkých vrstev, multivrstev, případně složitějších struktur. V habilitační práci je ukázáno využití a přínos této metody pro objemové materiály (konkrétně pro flourovaný ethylen-propylen), tenké vrstvy (konkrétně pro vrstvu zlata naprášenou na skleněný, resp. plastový substrát, dále pro vrstvy nanokrystalického diamantu, amorfního chalkogenidu o složení Ge25S75, organického polovodiče PEDOT:PSS a ZnO dopovaného cínem) a složitější případy (konkrétně nehomogenní průběh optických vlastností při studiu vrstev amorfních chalkogenidů o složení As35S65 a As42Se58). Druhá část práce se věnuje výsledkům výzkumu vybraných polykrystalických objemových polovodičů (konkrétně SnSe dopovaného Tl a CuInTe2) pro termoelektrické aplikace. The presented work is divided into two parts. The first part of work is devoted to spectroscopic ellipsometry and its utilization for the study of materilas either in the form of bulks or especially in the form of thin layers, multilayers or more complex structures. In the habilitation thesis, the utilization and results obtained using spectroscopic ellipsometry for bulk material (more specifically fluorinated ethylene propylene), thin layers (more specifically gold layer sputtered onto glass and plastic substrate, nanocrystalline diamond layers, layers of amorphous chalcogenide Ge25S75, layers of organic semiconductor PEDOT: PSS and ZnO doped with Sn) and more complex issues (more specifically refractive index non-uniform depth profile in this layers of amourphous chalcogenides (As35S65 and As42Se58)) are shown. The second part of the thesis deals with results of the research of selected polycrystalline bulk semiconductors (more specifically SnSe doped with Tl and CuInTe2) for thermoelectric applications. |
| مصطلحات الفهرس: | spektroskopická elipsometrie, optické konstanty, index lomu, extinkční koeficient, tenké vrstvy, objemové polovodiče, termoelektrické vlastnosti, spectroscopic ellipsometry, optical constants, refraction index, extinction coefficient, thin films, bulk semiconductors, thermoelectric properties, habilitační práce |
| URL: | |
| الإتاحة: | Open access content. Open access content |
| ملاحظة: | 62 s, + přílohy Czech |
| أرقام أخرى: | CZPAR oai:dk.upce.cz:10195/75446 Univerzitní knihovna (studovna) D40284 1182630615 |
| المصدر المساهم: | UNIV LIBR OF THE UNIV OF PARDUBICE From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الأكسشن: | edsoai.on1182630615 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |