Atomic-Resolution Study of the Interfacial Bonding at Si3N4/CeO2−δ Grain Boundaries

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Atomic-Resolution Study of the Interfacial Bonding at Si3N4/CeO2−δ Grain Boundaries
المؤلفون:	Walkosz, Weronika^Aff1
المساهمون:	Walkosz, Weronika^AffID1
المصدر:	Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃N₄ Interfaces. :67-73
قاعدة البيانات:	Springer Nature eBooks

الوصف
ردمك:	9781441978165 9781441978172
DOI:	10.1007/978-1-4419-7817-2_5