دورية أكاديمية

Influence of the Growth Conditions and Doping Level on the Luminescence Kinetics of Ge:Sb Layers Grown on Silicon

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Influence of the Growth Conditions and Doping Level on the Luminescence Kinetics of Ge:Sb Layers Grown on Silicon
المؤلفون: Yurasov, D. V.Aff1, Baídakova, N. A., Yablonskiy, A. N., Novikov, A. V.Aff1, Aff2
المصدر: Semiconductors. 54(7):811-816
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:10637826
10906479
DOI:10.1134/s1063782620070131