دورية أكاديمية
أعرض في EDS

Optimization of GaAs-based 940 nm infrared light emitting diode with dual-junction design

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Optimization of GaAs-based 940 nm infrared light emitting diode with dual-junction design
المؤلفون: Lin, Hong-liangAff1, Aff2, Zeng, Xiang-huaAff1, Shi, Shi-man, Tian, Hai-jun, Yang, Mo, Chu, Kai-ming, Yang, Kai, Li, Quan-su
المصدر: Optoelectronics Letters. 15(2):113-116
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
كن أول من يترك تعليقا!
يجب تسجيل دخولك أولا