دورية أكاديمية

IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing
المؤلفون: Cherkova, S. G.Aff1, IDS8756699022060024_cor1, Volodin, V. A.Aff1, Aff2, Skuratov, V. A.Aff3, Aff4, Aff5, Stoffel, M., Rinnert, H., Vergnat, M.
المصدر: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58(6):633-642
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:87566990
19347944
DOI:10.3103/s8756699022060024