Raman study of damage processes in Si{sup +}-implanted GaAs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Raman study of damage processes in Si{sup +}-implanted GaAs
المساهمون: Kiefer, W [Wuerzburg Univ. (Germany). Inst. fuer Physikalische Chemie]
المصدر: Conference: 22. European congress on molecular spectroscopy,Essen (Germany),11-16 Sep 1994; Other Information: PBD: Sep 1994
وصف الملف: Medium: P; Size: 5 p.
URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/10113202
قاعدة البيانات: SciTech Connect