دورية أكاديمية

Influence of N-type doping on the oxidation rate in n-type 6H-SiC.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Influence of N-type doping on the oxidation rate in n-type 6H-SiC.
المؤلفون: Guo Hui, Zhao Yaqiu, Zhang Yuming, Ling Xianbao
المصدر: Journal of Semiconductors; Jan2015, Vol. 36 Issue 1, p1-1, 1p
قاعدة البيانات: Complementary Index
الوصف
تدمد:16744926
DOI:10.1088/1674-4926/36/1/013006