دورية أكاديمية
镓硼共掺对6英寸 VGF 法锗单晶电阻率均匀性的影响.
| العنوان: | 镓硼共掺对6英寸 VGF 法锗单晶电阻率均匀性的影响. (Chinese) |
|---|---|
| Alternate Title: | Influence of Ga-B Co-Doping on the Resistivity Uniformity of 6 inch Ge Single Crystal by VGF Method. (English) |
| المؤلفون: | 张颖武, 边义午, 陈晨, 周春锋, 王云彪, 兰天平 |
| المصدر: | Semiconductor Technology; Aug2024, Vol. 49 Issue 8, p708-725, 18p |
| قاعدة البيانات: | Complementary Index |
| تدمد: | 1003353X |
|---|---|
| DOI: | 10.13290/j.cnki.bdtjs.2024.08.003 |