دورية أكاديمية

A 0.4-μm 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A 0.4-μm 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit.
المؤلفون: Byung-Gil Jeon, Mun-Kyu Choi, Yoonjong Song, Seung-Kyu Oh, Yeonbae Chung, Kang-Deog Suh, Kinam Kim
المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits; Nov2000, Vol. 35 Issue 11, p1690-1694, 5p
قاعدة البيانات: Complementary Index
الوصف
تدمد:00189200
DOI:10.1109/4.881216