دورية أكاديمية

Epitaxial and interface properties of InAs/InGaSb multilayered structures.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Epitaxial and interface properties of InAs/InGaSb multilayered structures.
المؤلفون: Zborowski, J. T., Fan, W. C., Golding, T. D., Vigliante, A., Chow, P. C., Shih, H. D., Anthony, J. M.
المصدر: Journal of Applied Physics; 6/15/1992, Vol. 71 Issue 12, p5908, 5p, 1 Black and White Photograph, 7 Graphs
مصطلحات موضوعية: INDIUM, ARSENIC, GALLIUM, ANTIMONY
مستخلص: Presents information on a study which investigated the epitaxial and interface properties of indium arsenic/indium gallium antimony multilayered structures. Experimental procedure; Results; Discussion.
قاعدة البيانات: Complementary Index
الوصف
تدمد:00218979
DOI:10.1063/1.350490