Growth of GaN and AlGaN by high temperature vapor phase epitaxy.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Growth of GaN and AlGaN by high temperature vapor phase epitaxy.
المؤلفون: Fischer, S., Anders, F., Theis, M., Steude, G., Christmann, T., Hofmann, D.M., Meyer, B.K.
المصدر: Semiconducting & Insulating Materials 1998 Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting & Insulating Materials (SIMC-X) (Cat No98CH36159); 1999, p11-14, 4p
قاعدة البيانات: Complementary Index
الوصف
ردمك:9780780343542
DOI:10.1109/SIM.1998.785066