Low-pressure chemical vapor deposition of GaN epitaxial films

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Low-pressure chemical vapor deposition of GaN epitaxial films
المؤلفون: Topf, M., Steude, G., Fischer, S., Kriegseis, W., Dirnstorfer, I., Meister, D., Meyer, B. K.
المصدر: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 189 Issue: 1 p330-334, 5p
قاعدة البيانات: Supplemental Index
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/S0022-0248(98)00285-1