Thermal annealing behavior of defects induced by ion implantation in thermally grown SiO~2 films

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Thermal annealing behavior of defects induced by ion implantation in thermally grown SiO~2 films
المؤلفون:	Seol, K. S., Karasawa, T., Ohki, Y., Nishikawa, H., Takiyama, M.
المصدر:	Microelectronic Engineering; 1997, Vol. 36 Issue: 1 p193-196, 4p
قاعدة البيانات:	Supplemental Index

كن أول من يترك تعليقا!