Atomistic modeling of chemical vapor deposition: silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Atomistic modeling of chemical vapor deposition: silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia
المؤلفون: Bagatur`yants, A. A., Novoselov, K. P., Safonov, A. A., Savchenko, L. L., Cole, J. V., Korkin, A. A.
المصدر: Materials Science in Semiconductor Processing; 2000, Vol. 3 Issue: 1 p23-29, 7p
قاعدة البيانات: Supplemental Index
الوصف
تدمد:13698001
DOI:10.1016/S1369-8001(00)00006-8