Characterization of MOS transistors integrated on high-resistivity silicon with a DSSD process
| العنوان: | Characterization of MOS transistors integrated on high-resistivity silicon with a DSSD process |
|---|---|
| المؤلفون: | Batignani, G., Francesco Forti, Giorgi, M., Rampino, G., Tritto, S., Bosisio, L., Della Marina, R. |
| المساهمون: | Batignani, G, Forti, F, Giorgi, M, Rampino, G, Tritto, S, Bosisio, Luciano, DELLA MARINA, R. |
| المصدر: | ResearcherID Francesco Forti |
| سنة النشر: | 1997 |
| الوصف: | NUOVO CIMENTO |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::05eb97df0bb48eea2643b055c8adb04a http://hdl.handle.net/11568/175682 |
| حقوق: | OPEN |
| رقم الأكسشن: | edsair.dedup.wf.001..05eb97df0bb48eea2643b055c8adb04a |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| الوصف غير متاح. |