Mit Hilfe von Lithographieverfahren werden in der vorliegenden Arbeit modulationsdotierte Silizium/Silizium-Germanium-Heterostrukturen lateral strukturiert, um ballistischen Elektronentransport in Wellenleitern bei Temperaturen von wenigen Kelvin zu ermöglichen. Im linearen und nichtlinearen Transport durch eindimensionale Leiter werden Anomalien in der Leitwertquantisierung untersucht. Zudem werden Kenntnisse über trägheitsballistische Gleichrichter vertieft, welche sich durch eine hohe Grenzfrequenz und durch eine im Gegensatz zu Dioden fehlende Einsatzspannung auszeichnen. Darauf aufbauend werden zweistufige ballistische Gleichrichter vorgestellt, welche eine höhere Ausgangsspannung als die Summe der beiden einzelnen Gleichrichterstufen besitzen. Diese Effizienzsteigerung ist zurückzuführen auf die Überlappung zweier Elektronenwolken, wenn der Abstand zwischen den Gleichrichterstufen kleiner als die ballistische Weglänge gehalten wird.
