Growth and Characterization of 167Er Doped-Y2SiO5 Single Crystal

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Growth and Characterization of 167Er Doped-Y2SiO5 Single Crystal
المؤلفون: Kaoru Shimizu, S. Saito, T. Tawara, H. Omi
المصدر: Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials.
بيانات النشر: The Japan Society of Applied Physics, 2016.
سنة النشر: 2016
مصطلحات موضوعية: Crystallography, Materials science, Doping, Single crystal, Characterization (materials science)
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::33b4e2294b2bba2d2f04e524d8fe4365
https://doi.org/10.7567/ssdm.2016.e-6-05l
رقم الأكسشن: edsair.doi...........33b4e2294b2bba2d2f04e524d8fe4365
قاعدة البيانات: OpenAIRE