Crystal Growth of MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by RF-magnetron sputtering

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Crystal Growth of MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by RF-magnetron sputtering
المؤلفون: K. Tatejima, T. Nagata, K. Ishibashi, K. Takahashi, S. Suzuki, A. Ogura, T. Chikyow
المصدر: Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
بيانات النشر: The Japan Society of Applied Physics, 2018.
سنة النشر: 2018
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Optoelectronics, Crystal growth, Non polar, Sputter deposition, business, Layer (electronics), Buffer (optical fiber)
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::370ad1584c1d2c06d5a6b38deb0170df
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.e-7-05
رقم الأكسشن: edsair.doi...........370ad1584c1d2c06d5a6b38deb0170df
قاعدة البيانات: OpenAIRE