Effect of Gate Dielectric Thickness on the Performance of Top-Down ZnO Nanowire Field-Effect Transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effect of Gate Dielectric Thickness on the Performance of Top-Down ZnO Nanowire Field-Effect Transistors
المؤلفون: Nor Azlin Ghazali, Mohamed Fauzi Packeer Mohamed, Muhammad Firdaus Akbar, Harold M. H. Chong
المصدر: Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9789811681288
بيانات النشر: Springer Singapore, 2022.
سنة النشر: 2022
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ad1196c6874d262d64e8b603dca9930
https://doi.org/10.1007/978-981-16-8129-5_105
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........3ad1196c6874d262d64e8b603dca9930
قاعدة البيانات: OpenAIRE