Inversion-Type Ferroelectric Capacitive Memory and Its 1-Kbit Crossbar Array

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Inversion-Type Ferroelectric Capacitive Memory and Its 1-Kbit Crossbar Array
المؤلفون: Zuopu Zhou, Leming Jiao, Jiuren Zhou, Zijie Zheng, Yue Chen, Kaizhen Han, Yuye Kang, Xiao Gong
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1641-1647
بيانات النشر: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023.
سنة النشر: 2023
مصطلحات موضوعية: Electrical and Electronic Engineering, Electronic, Optical and Magnetic Materials
تدمد: 1557-9646
0018-9383
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b6ae15b972e55684ef1943501af86cc
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3243556
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........5b6ae15b972e55684ef1943501af86cc
قاعدة البيانات: OpenAIRE