Effect of nitrogen and oxygen annealing on (Al0.1Ga0.9)2O3/4H-SiC heterojunction diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effect of nitrogen and oxygen annealing on (Al0.1Ga0.9)2O3/4H-SiC heterojunction diodes
المؤلفون: Soo-Young Moon, Seung-Woo Jung, Hee-Jae Lee, Dong-Wook Byun, Myeong-Cheol Shin, Michael A. Schweitz, Sang-Mo Koo
المصدر: Thin Solid Films. 751:139204
بيانات النشر: Elsevier BV, 2022.
سنة النشر: 2022
مصطلحات موضوعية: Materials Chemistry, Metals and Alloys, Surfaces and Interfaces, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials
تدمد: 0040-6090
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f6298ac1b0ce504ecec68ac3512f22b
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139204
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........5f6298ac1b0ce504ecec68ac3512f22b
قاعدة البيانات: OpenAIRE