Design considerations on 4H-SiC-based p–n junction betavoltaic cells

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Design considerations on 4H-SiC-based p–n junction betavoltaic cells
المؤلفون: F. Bouzid, M. A. Saeed, R. Carotenuto, F. Pezzimenti
المصدر: Applied Physics A. 128
بيانات النشر: Springer Science and Business Media LLC, 2022.
سنة النشر: 2022
مصطلحات موضوعية: General Materials Science, General Chemistry
تدمد: 1432-0630
0947-8396
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64824eabfff9b1d74fb45e5628c507d3
https://doi.org/10.1007/s00339-022-05374-7
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........64824eabfff9b1d74fb45e5628c507d3
قاعدة البيانات: OpenAIRE