Phase-Change Memory using Cu2GeTe3 and Multiple Writing Technique for Neuromorphic Systems

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Phase-Change Memory using Cu2GeTe3 and Multiple Writing Technique for Neuromorphic Systems
المؤلفون: Shihori Akane, Isao Horiuchi, Yasushi Hiroshima, Yasuhiko Nakashima, M. Kimura
المصدر: 2023 IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE).
بيانات النشر: IEEE, 2023.
سنة النشر: 2023
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f1a289c868f38690b6e051fb5f2d464
https://doi.org/10.1109/icce56470.2023.10043395
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........6f1a289c868f38690b6e051fb5f2d464
قاعدة البيانات: OpenAIRE