Editors' Choice—2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Editors' Choice—2.32 kV Breakdown Voltage Lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Source-Connected Field Plate
المؤلفون: Jae Kyoung Mun, Woo-Jin Chang, Jae-Won Do, Hyun-Wook Jung, Kyu-Jun Cho
المصدر: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8:Q3079-Q3082
بيانات النشر: The Electrochemical Society, 2019.
سنة النشر: 2019
مصطلحات موضوعية: Materials science, Field (physics), business.industry, Breakdown voltage, Optoelectronics, business, Electronic, Optical and Magnetic Materials
تدمد: 2162-8777
2162-8769
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac0b05cd774f60a768495378231c29fc
https://doi.org/10.1149/2.0151907jss
حقوق: OPEN
رقم الأكسشن: edsair.doi...........ac0b05cd774f60a768495378231c29fc
قاعدة البيانات: OpenAIRE