التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-μm2 HfO2-based Capacitor 1T1C FeRAM with High Voltage Tolerance and 10-ns Write Time |
| المؤلفون: |
M. Endo, S. Numata, K. Ohshima, Y. Egi, F. Isaka, T. Ohno, S. Tezuka, T. Hamada, K. Furutani, K. Tsuda, T. Matsuzaki, T. Onuki, T. Murakawa, H. Kunitake, M. Kobayashi, S. Yamazaki |
| المصدر: |
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM). |
| بيانات النشر: |
IEEE, 2022. |
| سنة النشر: |
2022 |
| URL الوصول: |
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af173ed46fe9de1d4652cffc60f90d3b
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019506 |
| حقوق: |
CLOSED |
| رقم الأكسشن: |
edsair.doi...........af173ed46fe9de1d4652cffc60f90d3b |
| قاعدة البيانات: |
OpenAIRE |
