High Al mole fraction crack-free AlGaN on GaN for UV laser diodes by a non-planar growth approach
| العنوان: | High Al mole fraction crack-free AlGaN on GaN for UV laser diodes by a non-planar growth approach |
|---|---|
| المؤلفون: | Russell D. Dupuis, Frank Mehnke, Alec M. Fischer, Zhiyu Xu, Henri K. Bouchard, Theeradetch Detchprohm, Shyh-Chiang Shen, Fernando A. Ponce |
| المصدر: | Gallium Nitride Materials and Devices XVII. |
| بيانات النشر: | SPIE, 2022. |
| سنة النشر: | 2022 |
| URL الوصول: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d335ea7ae0ef41ec0a4b1130b530ee87 https://doi.org/10.1117/12.2607411 |
| رقم الأكسشن: | edsair.doi...........d335ea7ae0ef41ec0a4b1130b530ee87 |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| الوصف غير متاح. |