Scavenging Segregated Ge on Thin Single-Crystal Si Epitaxially Grown on Ge

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Scavenging Segregated Ge on Thin Single-Crystal Si Epitaxially Grown on Ge
المؤلفون: J. Kwo, Tien-Yu Chu, Minghwei Hong, Tun-Wen Pi, Yi-Ting Cheng, Hsien-Wen Wan
المصدر: ACS Applied Electronic Materials. 3:4484-4489
بيانات النشر: American Chemical Society (ACS), 2021.
سنة النشر: 2021
مصطلحات موضوعية: Crystallography, Materials science, Materials Chemistry, Electrochemistry, Epitaxy, Scavenging, Single crystal, Electronic, Optical and Magnetic Materials
تدمد: 2637-6113
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d3a8494c100550e2cb1f10237e7706f5
https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00623
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi...........d3a8494c100550e2cb1f10237e7706f5
قاعدة البيانات: OpenAIRE