The effect of heat treatment on a-Si:H films prepared by a dc magnetron glow discharge decompo-sition of silane is studied by means of electron optical techniques. Conventional transmission electron microscopy shows that crystallization takes place by nucleation of crystallites in the amorphous matrix. Progressive heat treatment up to 700 °C causes the eventual conversion of the entire film and the growth of the crystallites to 100 nm in size. These changes are confirmed by energy filtered electron diffraction. Electron energy loss spectra show that heat treatment causes a peak at 5.5 eV to be removed and the plasmon peak at 14 eV to be shifted to 16.4 eV. These changes are shown to be consistent with crystallization by comparison with the energy loss function obtained from optical data. Es wird durch elektronenoptische Mittel untersucht, wie Warmebehandlung auf a-Si :H-Schichten einwirkt, die durch die von Glimmlicht in einem GS-Magnetron bewirkte Zersetzung von SiH4hergestellt werden. Eine herkommliche elektronenmikroskopische Untersuchung zeigt, das die Kristalle durch Bildung von Kristalliten im amorphen Material entstehen. Eine zunehmende Warmebehandlung bis auf 700 °C bewirkt die schliesliche Umwandlung der ganzen a -Si :H-Schicht und die Bildung von Kristalliten mit einer Grose bis zu 100 nm. Diese Umwandlungen werden durch Beugung von Elektronen mit bestimmten Energien bestatigt. Energieverlust-spektren der Elektronen zeigen, das die Warmebehandlung das Verschwinden des Maximums bei 5,5 eV und die Verschiebung des Plasmonmaximums bei 14 eV zu 16,4 eV bewirkt. Ein Vergleich mit der aus optischen Untersuchungen gewonnenen Energieverlustfunktion zeigt, das die Anderungen im Einklang mit der Annahme einer Kristallisation sind.
