New insights into low frequency noise (LFN) sources analysis in GaN/Si MIS-HEMTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: New insights into low frequency noise (LFN) sources analysis in GaN/Si MIS-HEMTs
المؤلفون: R. Kom Kammeugne, C. Theodorou, C. Leroux, L. Vauche, X. Mescot, R. Gwoziecki, S. Becu, M. Charles, E. Bano, G. Ghibaudo
المساهمون: CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
المصدر: Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2023, 200, pp.108555. ⟨10.1016/j.sse.2022.108555⟩
بيانات النشر: Elsevier BV, 2023.
سنة النشر: 2023
مصطلحات موضوعية: Materials Chemistry, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical and Electronic Engineering, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials
الوصف: International audience
تدمد: 0038-1101
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ccba85ceea2acfa422702ace7c6e2fe6
https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108555
حقوق: CLOSED
رقم الأكسشن: edsair.doi.dedup.....ccba85ceea2acfa422702ace7c6e2fe6
قاعدة البيانات: OpenAIRE