دورية أكاديمية

Electrical Properties of Titanium Nitride Thin Films Deposited by Reactive Sputtering

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Electrical Properties of Titanium Nitride Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
المؤلفون: T. Muto, K. Kawabata
المصدر: Active and Passive Electronic Components, Vol 8, Iss 3-4, Pp 249-249 (1981)
بيانات النشر: Wiley, 1981.
سنة النشر: 1981
المجموعة: LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
مصطلحات موضوعية: Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
نوع الوثيقة: article
وصف الملف: electronic resource
اللغة: English
تدمد: 0882-7516
1563-5031
Relation: https://doaj.org/toc/0882-7516; https://doaj.org/toc/1563-5031
DOI: 10.1155/APEC.8.249
URL الوصول: https://doaj.org/article/a33fdbb0ed6f4614b320dff4786de6b9
رقم الأكسشن: edsdoj.33fdbb0ed6f4614b320dff4786de6b9
قاعدة البيانات: Directory of Open Access Journals
الوصف
تدمد:08827516
15635031
DOI:10.1155/APEC.8.249