دورية أكاديمية
أعرض في EDS

Robust In-Zn‑O Thin-Film Transistors with a Bilayer Heterostructure Design and a Low-Temperature Fabrication Process Using Vacuum and Solution Deposited Layers

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Robust In-Zn‑O Thin-Film Transistors with a Bilayer Heterostructure Design and a Low-Temperature Fabrication Process Using Vacuum and Solution Deposited Layers
المؤلفون: Sang Yun Bang, Felix C. Mocanu, Tae Hoon Lee, Jiajie Yang, Shijie Zhan, Sung-Min Jung, Dong-Wook Shin, Yo-Han Suh, Xiang-Bing Fan, Sanghyo Lee, Hyung Woo Choi, Luigi G. Occhipinti, Soo Deok Han, Jong Min Kim
المصدر: ACS Omega, Vol 5, Iss 34, Pp 21593-21601 (2020)
بيانات النشر: American Chemical Society, 2020.
سنة النشر: 2020
المجموعة: LCC:Chemistry
مصطلحات موضوعية: Chemistry, QD1-999
نوع الوثيقة: article
وصف الملف: electronic resource
اللغة: English
تدمد: 2470-1343
Relation: https://doaj.org/toc/2470-1343
DOI: 10.1021/acsomega.0c02225
URL الوصول: https://doaj.org/article/a568f187101d4fedb7ea59266f94f1c0
رقم الأكسشن: edsdoj.568f187101d4fedb7ea59266f94f1c0
قاعدة البيانات: Directory of Open Access Journals
الوصف
تدمد:24701343
DOI:10.1021/acsomega.0c02225