Optical and Electrical Properties of AlGaN-Based High Electron Mobility Transistors and Photodetectors with AlGaN/AlN/GaN Channel-Stacking Structure

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Optical and Electrical Properties of AlGaN-Based High Electron Mobility Transistors and Photodetectors with AlGaN/AlN/GaN Channel-Stacking Structure
المؤلفون:	Chia-Feng Lin, Kun-Pin Huang, Han-Wei Wang, Kuei-Ting Chen, Cheng-Jie Wang, Yu-Cheng Kao, Hsiang Chen, Yung-Sen Lin
المصدر:	ACS Omega, Vol 9, Iss 23, Pp 25277-25282 (2024)
بيانات النشر:	American Chemical Society, 2024.
سنة النشر:	2024
المجموعة:	LCC:Chemistry
مصطلحات موضوعية:	Chemistry, QD1-999
نوع الوثيقة:	article
وصف الملف:	electronic resource
اللغة:	English
تدمد:	2470-1343
Relation:	https://doaj.org/toc/2470-1343
DOI:	10.1021/acsomega.4c03082
URL الوصول:	https://doaj.org/article/68e3f8d44696408cb5568a40e9fe474a
رقم الأكسشن:	edsdoj.68e3f8d44696408cb5568a40e9fe474a
قاعدة البيانات:	Directory of Open Access Journals

الوصف
تدمد:	24701343
DOI:	10.1021/acsomega.4c03082