A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode
المؤلفون:	Qing Luo, Yan Cheng, Jianguo Yang, Rongrong Cao, Haili Ma, Yang Yang, Rong Huang, Wei Wei, Yonghui Zheng, Tiancheng Gong, Jie Yu, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Xiaoyan Li, Lu Tai, Haoran Yu, Dashan Shang, Qi Liu, Bing Yu, Qiwei Ren, Hangbing Lv, Ming Liu
المصدر:	Nature Communications, Vol 11, Iss 1, Pp 1-8 (2020)
بيانات النشر:	Nature Portfolio, 2020.
سنة النشر:	2020
المجموعة:	LCC:Science
مصطلحات موضوعية:	Science
الوصف:	Designing reliable, scalable and high speed computing systems remains a challenge. Here, the authors identify noncentrosymmetric orthorhombic phase in HZO film and demonstrate a CMOS compatible 3D Vertical HZO-based ferroelectric diode array with self-selective property and 20 ns of speed operation.
نوع الوثيقة:	article
وصف الملف:	electronic resource
اللغة:	English
تدمد:	2041-1723
Relation:	https://doaj.org/toc/2041-1723
DOI:	10.1038/s41467-020-15159-2
URL الوصول:	https://doaj.org/article/f2f741492abf4ccca22fd4e425a534c9
رقم الأكسشن:	edsdoj.f2f741492abf4ccca22fd4e425a534c9
قاعدة البيانات:	Directory of Open Access Journals

الوصف
تدمد:	20411723
DOI:	10.1038/s41467-020-15159-2