دورية أكاديمية

Analysis of Wake-Up Reversal Behavior Induced by Imprint in La:HZO MFM Capacitors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analysis of Wake-Up Reversal Behavior Induced by Imprint in La:HZO MFM Capacitors
المؤلفون: Lee, S., Ronchi, N., Bizindavyi, J., Popovici, M.I., Banerjee, K., Walke, A., Delhougne, R., Van Houdt, J., Shin, C.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(5):2568-2574 May, 2023
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2023.3254509