دورية أكاديمية

Investigating the Properties of a New Lateral 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch With a Stacked Structure

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Investigating the Properties of a New Lateral 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch With a Stacked Structure
المؤلفون: Sha, H., Xiao, L., Luan, C., Sun, X., Qin, Y., Feng, Z., Li, Y., Jiao, J., Chen, X., Li, H., Xu, X.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(11):1869-1872 Nov, 2023
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2023.3312161