دورية أكاديمية

The Impact of Anode p+ Islands Layout on the Performance of NiOx/β-Ga₂O₃ Hetero-Junction Barrier Schottky Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: The Impact of Anode p+ Islands Layout on the Performance of NiOx/β-Ga₂O₃ Hetero-Junction Barrier Schottky Diodes
المؤلفون: Zhang, F., Zheng, X., He, Y., Wang, X., Hong, Y., Zhang, X., Yuan, Z., Wang, Y., Lu, X., Yin, J., Gao, Y., Ma, X., Hao, Y.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(11):5603-5608 Nov, 2023
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2023.3317815