دورية أكاديمية

Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT
المؤلفون: Wang, M., Lv, Y., Zhou, H., Cui, P., Liu, C., Lin, Z.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(2):160-163 Feb, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2023.3322282