دورية أكاديمية

Side-Channel Attack Resilient RHBD 12T SRAM Cell for Secure Nuclear Environment

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Side-Channel Attack Resilient RHBD 12T SRAM Cell for Secure Nuclear Environment
المؤلفون: Naz, S.F., Mondal, D., Shah, A.P.
المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability IEEE Trans. Device Mater. Relib. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on. 24(1):59-67 Mar, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:15304388
15582574
DOI:10.1109/TDMR.2023.3346752