دورية أكاديمية
1.2 kV Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMTs on 200 mm Engineered Substrates
| العنوان: | 1.2 kV Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMTs on 200 mm Engineered Substrates |
|---|---|
| المؤلفون: | Kumar, S., Geens, K., Vohra, A., Wellekens, D., Cingu, D., Fabris, E., Cosnier, T., Hahn, H., Bakeroot, B., Posthuma, N., Langer, R., Decoutere, S. |
| المصدر: | IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(4):657-660 Apr, 2024 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder | تدمد: | 07413106 15580563 |
|---|---|
| DOI: | 10.1109/LED.2024.3361164 |