دورية أكاديمية
Enhanced ON/OFF Ratio (4 × 105) and Robust Endurance (> 1010) in an InGaZnO/HfxZr1-xO2 Ferroelectric Diode via Defect Engineering
| العنوان: | Enhanced ON/OFF Ratio (4 × 105) and Robust Endurance (> 1010) in an InGaZnO/HfxZr1-xO2 Ferroelectric Diode via Defect Engineering |
|---|---|
| المؤلفون: | Jung, L., Oh, S., Jang, H., Lee, K., Choi, W., Hwang, H. |
| المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):2238-2242 Mar, 2024 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!