دورية أكاديمية

Development of Wide-JFET Trench-Etched Double-Diffused MOS (TED-MOS) for High-Voltage Applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Development of Wide-JFET Trench-Etched Double-Diffused MOS (TED-MOS) for High-Voltage Applications
المؤلفون: Suto, T., Suematsu, T., Mori, Y., Shimizu, H., Shima, A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(4):2570-2576 Apr, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3372932