دورية أكاديمية

Enhanced Performance and Stability of Atomic Layer Deposited In₂O₃ Transistors With Multi-Function Cation-Doped ZnSnO Layers

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Enhanced Performance and Stability of Atomic Layer Deposited In₂O₃ Transistors With Multi-Function Cation-Doped ZnSnO Layers
المؤلفون: Zhu, Q., Huang, Y., Wu, J., Guo, M., Ou, H., Liu, B., Lu, X., Chen, J., Liang, X., Wu, Q., Liu, C.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(5):845-848 May, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2024.3381199