دورية أكاديمية

Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC mosfets

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC mosfets
المؤلفون: Rodal, G.L., Peftitsis, D.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 39(7):8162-8186 Jul, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:08858993
19410107
DOI:10.1109/TPEL.2024.3382335