دورية أكاديمية

Passing Word Line-Induced Subthreshold Leakage Reduction Using a Partial Insulator in a Buried Channel Array Transistor

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Passing Word Line-Induced Subthreshold Leakage Reduction Using a Partial Insulator in a Buried Channel Array Transistor
المؤلفون: Kim, S., Kim, D.Y., Park, J.W., Lee, S., Jang, H.S., Park, J., Yoo, S., Lee, M.J.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(5):2976-2982 May, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3379963