دورية أكاديمية

Deep-Submicron Channel Length Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors Enabled by Self-Aligned Nanogap Lithography

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Deep-Submicron Channel Length Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors Enabled by Self-Aligned Nanogap Lithography
المؤلفون: Sung, C., Na, J., Nam, S., Cho, S.H.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(6):1020-1023 Jun, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2024.3387052