دورية أكاديمية

Total Ionizing Dose Effects on 22 nm UTBB FD-SOI MOSFETs up to 100 Mrad(Si)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Total Ionizing Dose Effects on 22 nm UTBB FD-SOI MOSFETs up to 100 Mrad(Si)
المؤلفون: Zhang, R., Cui, J., Li, Y., Guo, Q., Zheng, Q.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3490-3497 Jun, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3386511