دورية أكاديمية
Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs—Part II: Modeling
| العنوان: | Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs—Part II: Modeling |
|---|---|
| المؤلفون: | Grasser, T., Feil, M.W., Waschneck, K., Reisinger, H., Berens, J., Waldhoer, D., Vasilev, A., Waltl, M., Aichinger, T., Bockstedte, M., Gustin, W., Pobegen, G. |
| المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(7):4218-4226 Jul, 2024 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder | تدمد: | 00189383 15579646 |
|---|---|
| DOI: | 10.1109/TED.2024.3397629 |